MBE生產(chan) 需要一個(ge) 液氮儲(chu) 罐(1)，其容量應根據MBE係統的液氮消耗量和液氮輸送頻率來確定。通常，小型研究MBE係統消耗50-250L/天，而大型MBE係統可能需要4000L/天。強烈建議使用配備真空隔熱抽出閥(2)的低壓(2至3巴)散裝儲(chu) 罐。對於(yu) 管道工程(3)，好使用半柔性或剛性真空夾套管，以盡量減少液氮的熱損失，這大大增加了MBE生產(chan) 的運營成本。管道係統可以是靜態真空或動態真空，需要一個(ge) 小型專(zhuan) 用真空泵來保持真空完整性。為(wei) 確保向MBE低溫板輸送純液氮，建議配備相分離器(4)和Triax軟管(5)。液氮係統可以顯著節省成本。
液氮閉環循環係統工作
該係統適用於(yu) 世界上許多MBE係統，如Riber、DCA和Veeco。它已被許多客戶廣泛用於(yu) 化合物半導體(ti) 器件開發，如紅外、光通信等。我們(men) 的係統有靜態真空或動態真空隔熱兩(liang) 種。一個(ge) 完整的閉環係統由帶多個(ge) 出口的相分離器、三通軟管、模塊化配件和用於(yu) 液氮流量控製的真空夾套閥組成隔離。
MBE的閉環液氮循環係統始終保持在大氣壓下。控製器允許相分離器以閉環方式自調節MBE的液氮供應流量，使低溫板在不同操作條件下保持充滿液氮。
閉環液氮係統具有以下優(you) 點：
•液氮節省高達30%
•高效低溫板冷卻至-196°C
•易於(yu) 液氮操作-根據MBE係統運行各個(ge) 階段的熱負荷自動調節液氮流量
什麽(me) 是MBE？
分子束外延(MBE)是一種基於(yu) 超高真空(UHV)的技術，用於(yu) 生產(chan) 具有單層控製的高質量外延結構。
自20世紀70年代作為(wei) 生長高純度半導體(ti) 薄膜的工具引入以來，MBE已經發展成為(wei) 生產(chan) 金屬、絕緣體(ti) 和超導體(ti) 外延層廣泛使用的技術之一。如今，MBE是化合物半導體(ti) 行業(ye) 不可或缺的工具，無論是在研究還是生產(chan) 層麵。
III-V族半導體(ti) 的典型MBE生長速率約為(wei) 1um/小時，這是在~10e-6torr的III族分壓下獲得的。晶體(ti) 中的原子密度約為(wei) 10e22.cm-3，這意味著要將雜質濃度降低到10e15.cm-3以下，雜質分壓必須降低到~10e-12Torr以下。
液氮是分子束外延成功運行的重要組成部分。MBE係統依賴於(yu) 液態N2低溫板，其內(nei) 部圍繞主室壁和源法蘭(lan) 構建。由於(yu) 分子束外延是一種冷壁技術，因此使用低溫板來防止分子從(cong) 熱滲出細胞以外的部位再次蒸發。
此外，它們(men) 還提供了不同電池之間的熱隔離，以及剩餘(yu) 氣體(ti) 的額外泵送。在晶片生長過程中，低溫板內(nei) 的低蒸氣壓液氮供應對於(yu) 確保雜質分壓始終保持在10e12托以下至關(guan) 重要。
